參數(shù)資料
型號: SPD35N10
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: SIPMOS Power-Transistor
中文描述: SIPMOS功率晶體管
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大小: 556K
代理商: SPD35N10
2002-01-30
Page 7
Preliminary data
SPD35N10
13 Typ. avalanche energy
E
AS
=
f
(
T
j
)
par.:
I
D
= 35 A ,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
25
45
65
85
105
125
145
°C
T
j
185
0
30
60
90
120
150
180
210
mJ
270
E
A
14 Typ. gate charge
V
GS
=
f
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D
= 35 A pulsed
0
10
20
30
40
50
60
nC
75
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
SPD35N10
V
G
0,8
V
DS max
DS max
V
0,2
15 Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
f
(
T
j
)
-60
-20
20
60
100
140
°C
T
j
200
90
92
94
96
98
100
102
104
106
108
110
112
114
V
120
SPD35N10
V
(
相關PDF資料
PDF描述
SPD50N03S2-07 OptiMOS Power-Transistor
SPD50N03S2L-06 OptiMOS Power-Transistor
SPD50N06S2L-13 OptiMOS Power-Transistor
SPD50N06S2-14 OptiMOS Power-Transistor
SPD50P03L OptiMOS-P Power - Transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SPD35N10T 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:POWERFET 100V 35A
SPD-3606 制造商:Instek Japan 功能描述:Bulk
SPD-3-7 制造商:SYNERGY 制造商全稱:SYNERGY MICROWAVE CORPORATION 功能描述:3-WAY POWER DIVIDER SURFACE MOUNT WIDE BANDWIDTH 20 - 1200 MHz
SPD3889 制造商:SSDI 制造商全稱:Solid States Devices, Inc 功能描述:12 A, 120 nsec, 50-400 V Fast Recovery Rectifier
SPD3889S 制造商:SSDI 制造商全稱:Solid States Devices, Inc 功能描述:12 A, 120 nsec, 50-400 V Fast Recovery Rectifier