參數(shù)資料
型號(hào)： SPD30P06P
廠(chǎng)商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： SIPMOS Power-Transistor
中文描述： SIPMOS功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 8/9頁(yè)
文件大?。?/td> 112K
代理商： SPD30P06P
1999-11-22
Page 8
SPD30P06P
SPU30P06P
Preliminary data
Avalanche energy
E
AS
= f (T
j
)
para.: I
D
= -30 A , V
DD
= -25 V, R
GS
= 25
W
25
45
65
85
105
125
145
°C
185
T
j
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
mJ
260
A
Typ. gate charge
V
GS
= f (Q
Gate
)
parameter: I
D
= -30 A pulsed
SPD30P06P
0
10
20
30
40
nC
55
Q
Gate
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
V
-16
V
G
DS max
V
0,8
DS max
V
0,2
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
= f (T
j
)
-60
-20
20
60
100
140
°C
200
T
j
-54
-56
-58
-60
-62
-64
-66
-68
V
-72
SPD30P06P
V
(
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