參數(shù)資料
型號： SPD30P06P
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： SIPMOS Power-Transistor
中文描述： SIPMOS功率晶體管
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大小： 112K
代理商： SPD30P06P
1999-11-22
Page 4
SPD30P06P
SPU30P06P
Preliminary data
Electrical Characteristics,
at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Unit
Values
typ.
Symbol
min.
max.
Dynamic Characteristics
Gate to source charge
V
DD
= -48 V, I
D
= -30 A
Gate to drain charge
V
DD
= -48 V, I
D
= -30 A
Gate charge total
V
DD
= -48 V, I
D
= -30 A, V
GS
= 0 to -10 V
Gate plateau voltage
V
DD
= -48 V , I
D
= -30 A
-
Q
gs
nC
5.6
3.7
Q
gd
13.8
20.7
-
48
-
Q
g
32
V
(plateau)
-
-5.2
-
V
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
Reverse Diode
Inverse diode continuous forward current
T
C
= 25 °C
Inverse diode direct current,pulsed
T
C
= 25 °C
Inverse diode forward voltage
V
GS
= 0 V,
I
F
= -30
Reverse recovery time
V
R
= -30 V,
I
F
=
I
S
,
di
F
/dt
= 100 A/μs
Reverse recovery charge
V
R
= -30 V,
I
F=
l
S
,
di
F
/dt
= 100 A/μs
I
S
-
-
-30
A
I
SM
-
-
-120
V
SD
-
-1.3
-1.7
V
t
rr
-
64.6
97
ns
Q
rr
-
153
230
nC
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