參數(shù)資料
型號： SPD30N08S2-22
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 263K
代理商： SPD30N08S2-22
2003-05-09
Page 7
SPD30N08S2L-21
13 Typ. avalanche energy
E
AS
=
f
(
T
j
)
par.:
I
D
= 30 A ,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
25
45
65
85
105
125
145
°C
185
T
j
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
mJ
240
E
A
14 Typ. gate charge
V
GS
=
f
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D
= 30 A pulsed
0
10
20
30
40
50
60
70
nC
Q
Gate
85
0
2
4
6
8
10
12
V
16
SPD30N08S2L-21
V
G
0,8
V
DS max
DS max
V
0,2
15 Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
f
(
T
j
)
parameter:
I
D
=10 mA
-60
-20
20
60
100
140
°C
200
T
j
68
70
72
74
76
78
80
82
84
86
88
V
92
SPD30N08S2L-21
V
(
相關PDF資料
PDF描述
SPD30N08S2L-24 OptiMOSPower-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SPD35N10 SIPMOS Power-Transistor
SPD50N03S2-07 OptiMOS Power-Transistor
SPD50N03S2L-06 OptiMOS Power-Transistor
SPD50N06S2L-13 OptiMOS Power-Transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SPD30N08S2L-21 功能描述:MOSFET N-CH 75V 30A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPD30P06P 功能描述:MOSFET P-CH -60 V -30 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPD30P06P G 功能描述:MOSFET SIPMOS Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPD30P06P_08 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOSò Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated
SPD30P06PG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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