參數(shù)資料
型號(hào)： SPD30N06S2L-13
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 264K
代理商： SPD30N06S2L-13
2003-05-09
Page 5
SPD30N06S2L-13
5 Typ. output characteristic
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=25°C
parameter:
t
p
= 80 μs
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
V
DS
5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
A
75
SPD30N06S2L-13
P
tot
= 136W
I
D
V
GS [V]
a
a
3.0
b
b
3.2
c
c
3.4
d
d
3.6
e
e
3.8
f
f
4.0
g
g
4.5
h
h
7.0
i
i
10.0
6 Typ. drain-source on resistance
R
DS(on)
=
f
(
I
D
)
parameter:
V
GS
SPD30N06S2L-13
0
10
20
30
40
50
A
I
D
65
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
m
42
R
D
V
GS
[V] =
c
3.4
c
d
d
3.6
e
e
3.8
f
f
4.0
g
g
4.5
h
h
7.0
i
i
10.0
7 Typ. transfer characteristics
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS(on)max
parameter:
t
p
= 80 μs
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
V
GS
5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
A
60
I
D
8 Typ. forward transconductance
g
fs
= f(
I
D
);
T
j
=25°C
parameter:
g
fs
0
10
20
30
40
50
60
A
I
D
80
0
10
20
30
40
50
S
70
g
f
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPD30N06S2L-23 OptiMOS Power-Transistor
SPD30N06S2-15 OptiMOS Power-Transistor
SPD30N06S2-23 OptiMOS Power-Transistor
SPD30N06S2L-13 OptiMOSPower-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SPD30N06S2L-23 OptiMOSPower-Transistor( MOS 型功率晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SPD30N08S2-22 功能描述:MOSFET N-CH 75V 30A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPD30N08S2L-21 功能描述:MOSFET N-CH 75V 30A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPD30P06P 功能描述:MOSFET P-CH -60 V -30 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPD30P06P G 功能描述:MOSFET SIPMOS Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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