參數(shù)資料
型號(hào)： SPD30N03S2L-20
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
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代理商： SPD30N03S2L-20
2003-05-09
Page 7
SPD30N03S2L-07
13 Typ. avalanche energy
E
AS
=
f
(
T
j
)
par.:
I
D
= 30 A ,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
25
45
65
85
105
125
145
°C
185
T
j
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
mJ
260
E
A
14 Typ. gate charge
V
GS
=
f
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D
= 30 A pulsed
0
10
20
30
40
50
60
nC
80
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
SPD30N03S2L-07
V
G
0,8
V
DS max
DS max
V
0,2
15 Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
f
(
T
j
)
parameter:
I
D
=10 mA
-60
-20
20
60
100
140
°C
200
T
j
27
28
29
30
31
32
33
34
V
36
SPD30N03S2L-07
V
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPD30N06S2-15 OptiMOSPower-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SPD30N06S2L-13 OptiMOS Power-Transistor
SPD30N06S2L-23 OptiMOS Power-Transistor
SPD30N06S2-15 OptiMOS Power-Transistor
SPD30N06S2-23 OptiMOS Power-Transistor
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參數(shù)描述
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SPD30N03S2L-20_08 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level
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