參數(shù)資料
型號： SPD30N03S2L-20
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 260K
代理商： SPD30N03S2L-20
2003-05-09
Page 1
SPD30N03S2L-07
Opti
MOS
Power-Transistor
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
I
D
30
V
m
A
6.7
30
Feature
N-Channel
Enhancement mode
Logic Level
Excellent Gate Charge x
R
DS(on)
product (FOM)
Superior thermal resistance
175°C operating temperature
Avalanche rated
d
v
/d
t
rated
P- TO252 -3-11
Marking
2N03L07
Type
SPD30N03S2L-07
Package
P- TO252 -3-11 Q67042-S4091
Ordering Code
Maximum Ratings
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
1)
Symbol
Value
Unit
A
T
C
=25°C
I
D
30
30
Pulsed drain current
T
C
=25°C
Avalanche energy, single pulse
I
D puls
120
I
D
=30 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
Repetitive avalanche energy, limited by
T
jmax
2)
Reverse diode d
v
/d
t
E
AS
250
mJ
E
AR
d
v
/d
t
13
I
S
=30A,
V
DS
=24V,
d
i
/d
t
=200A/μs,
T
jmax
=175°C
Gate source voltage
Power dissipation
6
kV/μs
V
GS
P
tot
±20
136
V
W
T
C
=25°C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
T
j ,
T
stg
-55... +175
55/175/56
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPD30N06S2-15 OptiMOSPower-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SPD30N06S2L-13 OptiMOS Power-Transistor
SPD30N06S2L-23 OptiMOS Power-Transistor
SPD30N06S2-15 OptiMOS Power-Transistor
SPD30N06S2-23 OptiMOS Power-Transistor
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參數(shù)描述
SPD30N03S2L-20 G 功能描述:MOSFET POWER MOSFET DISCRETE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPD30N03S2L-20_08 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level
SPD30N03S2L-20G 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
SPD30N03S2L20GBTMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
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