參數(shù)資料
型號： SPD30N03L
廠商： SIEMENS A G
元件分類： JFETs
英文描述： SIPMOS Power Transistor
中文描述： 30 A, 30 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大小： 96K
代理商： SPD30N03L
5
Semiconductor Group
SPD30N03L
Power Dissipation
P
tot
= f (T
C
)
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
T
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
W
130
SPD30N03L
P
t
Drain current
I
D
= f (T
C
)
parameter: V
GS
≥
10 V
SPD30N03L
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
T
C
0
4
8
12
16
20
24
A
32
I
D
Transient thermal impedance
Z
thJC
= f (t
p
)
parameter : D = t
p
/T
SPD30N03L
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
0
s
t
p
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
K/W
Z
t
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
Safe operating area
I
D
= f(V
DS
)
parameter : D= 0 , T
C
= 25 °C
SPD30N03L
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
V
DS
0
10
1
10
2
10
3
10
A
I
D
R
DSo)
V
DS
I
D
DC
10 ms
1 ms
100 μs
t
p = 65.0μs
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參數(shù)描述
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