參數(shù)資料
型號(hào)： SPD28N05L
廠商： SIEMENS A G
元件分類： 功率晶體管
英文描述： SIPMOS Power Transistor
中文描述： 28 A, 55 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 130K
代理商： SPD28N05L
Semiconductor Group
3
30/Jan/1998
SPD28N05L
SPU28N05L
Electrical Characteristics,
at
T
j
= 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
Dynamic Characteristics
Transconductance
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS(on)max,
I
D
= 20 A
Input capacitance
g
fs
10
20
-
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1 MHz
Output capacitance
C
iss
-
770
960
pF
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1 MHz
Reverse transfer capacitance
C
oss
-
230
300
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1 MHz
Turn-on delay time
C
rss
-
130
165
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 28 A
R
G
= 6.8
Rise time
t
d(on)
-
10
15
ns
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 28 A
R
G
= 6.8
Turn-off delay time
t
r
-
75
115
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 28 A
R
G
= 6.8
Fall time
t
d(off)
-
30
45
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 28 A
R
G
= 6.8
Gate charge at threshold
t
f
-
20
30
V
DD
= 40 V,
I
D
≥
0.1 A,
V
GS
=0 to 1 V
Gate charge at 5.0 V
Q
g(th)
-
1
1.5
nC
V
DD
= 40 V,
I
D
= 28 A,
V
GS
=0 to 5 V
Gate charge total
Q
g(5)
-
20
30
V
DD
= 40 V,
I
D
= 28 A,
V
GS
=0 to 10 V
Gate plateau voltage
Q
g(total)
-
32
50
V
DD
= 40 V,
I
D
= 28 A
V
(plateau)
-
4
-
V
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