參數(shù)資料
型號(hào)： SPD28N03
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Insulation Displacement (IDC) Connector; No. of Contacts:50; Contact Termination:IDC; Gender:Female; Contact Plating:Nickel; Pitch Spacing:0.05" RoHS Compliant: Yes
中文描述： SIPMOS功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大小： 142K
代理商： SPD28N03
SPD 28N03
Data Sheet
6
06.99
Typ. output characteristics
I
D
=
f
(
V
DS
)
parameter:
t
p
= 80 μs
SPD28N03
P
tot
= 75W
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
5.0
V
DS
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
A
70
I
D
VGS [V]
a
a
4.0
b
b
4.5
c
c
5.0
d
d
5.5
e
e
6.0
f
f
6.5
g
g
7.0
h
h
7.5
i
i
8.0
j
j
8.5
k
l
k
9.0
l
10.0
Typ. drain-source-on-resistance
R
DS(on)
=
f
(
I
D
)
parameter:
V
GS
SPD28N03
0
10
20
30
40
A
55
I
D
0.000
0.005
0.010
0.015
0.020
0.025
0.030
0.035
0.040
0.045
0.050
0.055
0.060
0.075
R
D
V
GS
[V] =
b
4.5
b
c
c
5.0
d
d
5.5
e
e
6.0
f
f
6.5
g
g
7.0
h
j
l
h
7.5
i
i
8.0
j
8.5
k
k
9.0
l
10.0
Typ. transfer characteristics
I
D
=
f
(
V
GS
)
parameter:
t
p
= 80 μs
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS(on) max
2
4
6
V
10
V
GS
0
10
20
30
40
50
A
70
I
D
Typ. forward transconductance
g
fs
= f
(
I
D
)
;
T
j
= 25C
parameter:
g
fs
0
5
10
15
20
25
30
A
I
D
40
0
5
10
15
S
25
g
f
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PDF描述
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SPD28N05L SIPMOS Power Transistor
SPU30N03L SIPMOS Power Transistor
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SPD30N03S2L-07 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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