參數(shù)資料
型號： SPD23N05
廠商： SIEMENS A G
元件分類： 功率晶體管
英文描述： SIPMOS Power Transistor
中文描述： 23 A, 55 V, 0.06 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 148K
代理商： SPD23N05
Semiconductor Group
7
29/Jan/1998
SPD23N05
SPU23N05
Drain-source on-resistance
R
DS (on)
=
(
T
j
)
parameter:
I
D
= 16 A,
V
GS
= 10 V
-60
-20
20
60
100
°C
T
j
180
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
0.14
0.16
0.19
R
DS (on)
typ
98%
Gate threshold voltage
V
GS(th)
= f (T
j
)
parameter:
V
GS
=
V
DS
,
I
D
=40μA
-60
-20
20
60
100
140
V
200
T
j
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
4.0
4.4
V
5.0
V
GS(th)
min
typ
max
Typ. capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
parameter:
V
GS
= 0V,
f
= 1MHz
0
5
10
15
20
25
30
V
VDS
40
1
10
2
10
3
10
4
10
pF
C
Ciss
Coss
Crss
Forward characteristics of reverse diode
I
F
=
(
V
SD
)
parameter:
T
j
, t
p
= 80 μs
-1
0.0
10
0
10
1
10
2
10
A
I
F
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V
3.0
V
SD
T
j
= 25 °C typ
T
j
= 175 °C typ
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 175 °C (98%)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPU28N03 SIPMOS Power Transistor
SPD28N03 Insulation Displacement (IDC) Connector; No. of Contacts:50; Contact Termination:IDC; Gender:Female; Contact Plating:Nickel; Pitch Spacing:0.05" RoHS Compliant: Yes
SPU28N05L SIPMOS Power Transistor
SPD28N05L SIPMOS Power Transistor
SPU30N03L SIPMOS Power Transistor
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參數(shù)描述
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