參數(shù)資料
型號： SPD22N08S2L-50
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 266K
代理商： SPD22N08S2L-50
2003-05-09
Page 7
SPD22N08S2L-50
13 Typ. avalanche energy
E
AS
=
f
(
T
j
)
par.:
ID
=22A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
20
40
60
80
100
120
140
°C
180
T
j
0
10
20
30
40
50
60
70
80
mJ
100
E
A
14 Typ. gate charge
V
GS
=
f
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D
= 25 A pulsed
0
4
8
12
16
20
24
28
32
nC
40
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
SPD22N08S2L-50
V
G
0,8
V
DS max
DS max
V
0,2
15 Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
f
(
T
j
)
parameter:
I
D
=10 mA
-60
-20
20
60
100
140
°C
200
T
j
68
70
72
74
76
78
80
82
84
86
88
V
92
SPD22N08S2L-50
V
(
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