參數(shù)資料
型號(hào)： SPD08N50C3
廠(chǎng)商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Cool MOS⑩ Power Transistor
中文描述： 酷馬鞍山⑩功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/11頁(yè)
文件大小： 256K
代理商： SPD08N50C3
2003-06-27
Page 1
SPD08N50C3
Final data
Cool MOS
Power Transistor
Feature
New revolutionary high voltage technology
Worldwide best
R
DS(on)
in TO-252
Ultra low gate charge
Periodic avalanche rated
Extreme d
v
/d
t
rated
Ultra low effective capacitances
Improved transconductance
V
DS
@
T
jmax
R
DS(on)
I
D
560
0.6
V
A
7.6
P-TO252-3-1
Type
SPD08N50C3
Package
P-TO252-3-1
Ordering Code
Q67040-S4569
Marking
08N50C3
Maximum Ratings, at
T
C
= 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Value
Unit
A
Continuous drain current
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
Pulsed drain current,
t
p
limited by
T
jmax
Avalanche energy, single pulse
I
D
7.6
4.6
I
D puls
E
AS
22.8
I
D
=5.5A,
V
DD
=50V
Avalanche energy, repetitive
t
AR
limited by
T
jmax
1)
I
D
=7.6A,
V
DD
=50V
Avalanche current, repetitive
t
AR
limited by
T
jmax
Gate source voltage
230
mJ
E
AR
0.5
I
AR
V
GS
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
7.6
A
±20
±
30
83
V
Gate source voltage AC (f >1Hz)
Power dissipation,
T
C
= 25°C
Operating and storage temperature
W
-55... +150
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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