參數(shù)資料
型號(hào)： SPB80N04S2L-03
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大小： 306K
代理商： SPB80N04S2L-03
2003-05-08
Page 1
SPP80N04S2L-03
SPB80N04S2L-03
Opti
MOS
Power-Transistor
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
max. SMD version
I
D
40
V
m
A
3.1
80
Feature
N-Channel
Enhancement mode
Logic Level
175°C operating temperature
Avalanche rated
d
v
/d
t
rated
P- TO263 -3-2
P- TO220 -3-1
Marking
2N04L03
2N04L03
Type
SPP80N04S2L-03
Package
P- TO220 -3-1
Ordering Code
Q67040-S4261
SPB80N04S2L-03
P- TO263 -3-2
Q67040-S4262
Maximum Ratings
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
1)
Symbol
Value
Unit
A
T
C
= 25 °C
I
D
80
80
Pulsed drain current
T
C
=25°C
Avalanche energy, single pulse
I
D puls
320
I
D
=80 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
Repetitive avalanche energy, limited by
T
jmax
2)
Reverse diode d
v
/d
t
E
AS
810
mJ
E
AR
d
v
/d
t
30
6
I
S
=80A,
V
DS
=32V,
d
i
/d
t
=200A/μs,
T
jmax
=175°C
Gate source voltage
kV/μs
V
GS
P
tot
±20
300
V
Power dissipation
T
C
=25°C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
W
T
j ,
T
stg
-55... +175
55/175/56
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPP80N04S2-04 OptiMOS Power-Transistor
SPB80N04S2-04 OptiMOS Power-Transistor
SPP80N04S2-H4 OptiMOS Power-Transistor
SPB80N04S2-H4 OptiMOS Power-Transistor
SPP80N06S2-05 OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SPB80N06S08 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPB80N06S-08 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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