參數(shù)資料
型號(hào)： SN74ALVC7806DL
廠商： Texas Instruments, Inc.
英文描述： 256 】 18 LOW-POWER FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORY
中文描述： 256】18 LOW-POWER先入先出存儲(chǔ)器
文件頁(yè)數(shù)： 7/10頁(yè)
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代理商： SN74ALVC7806DL
SN74ALVC7806
256
×
18
LOW-POWER FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORY
SCAS591A – OCTOBER 1997 – REVISED APRIL 1998
7
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
timing requirements over recommended operating conditions (see Figures 1 through 3)
’ALVC7806-25
MIN
’ALVC7806-40
MIN
UNIT
MAX
MAX
fclock
Clock frequency
40
25
MHz
D0–D17 high or low
8
12
LDCK high or low
8
12
tw
Pulse duration
UNCK high or low
8
12
ns
PEN low
8
12
RESET low
D0–D17 before LDCK
↑
LDCK inactive before RESET high
PEN before LDCK
↑
D0–D17 after LDCK
↑
PEN high after LDCK low
PEN low after LDCK
↑
LDCK inactive after RESET high
10
12
5
5
tsu
Setup time
6
6
ns
8
8
0
0
th
Hold time
0
0
ns
3
6
3
6
switching characteristics over recommended ranges of supply voltage and operating free-air
temperature, C
L
= 50 pF (unless otherwise noted) (see Figure 3)
PARAMETER
FROM
(INPUT)
TO
’ALVC7806-25
MIN
’ALVC7806-40
MIN
UNIT
(OUTPUT)
MAX
MAX
fmax
LDCK or UNCK
LDCK
↑
UNCK
↑
LDCK
↑
UNCK
↑
RESET low
40
25
MHz
td
tpd
Any Q
9
22
9
24
ns
6
18
6
20
tPLH
EMPTY
6
17
6
19
ns
EMPTY
6
17
6
19
tPHL
4
18
4
20
ns
LDCK
↑
UNCK
↑
RESET low
LDCK
↑
UNCK
↑
RESET low
LDCK
↑
UNCK
↑
RESET low
FULL
6
17
6
19
tPLH
FULL
6
17
6
19
ns
4
20
4
22
td
tpd
AF/AE
7
20
7
22
ns
7
20
7
22
tPLH
AF/AE
2
12
2
14
ns
HF
5
20
5
22
tPHL
HF
7
20
7
22
ns
3
14
3
16
ten
tdis
OE
Any Q
2
10
2
11
ns
OE
Any Q
2
11
2
12
ns
operating characteristics, V
CC
= 3.3 V, T
A
= 25
°
C
PARAMETER
TEST CONDITIONS
TYP
UNIT
Cpd
Power dissipation capacitance per FIFO channel
Outputs enabled
CL = 50 pF,
f = 5 MHz
53
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SN74ALVC7813DL 64 】 18 LOW-POWER CLOCKED FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORY
SN74ALVC7814DL 64 】 18 LOW-POWER FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORY
SN74ALVCF162835DLR 3.3-V CMOS 18-BIT UNIVERSAL BUS DRIVER WITH 3-STATE OUTPUTS
SN74ALVCF162835LR Ceramic Chip Capacitors / MIL-PRF-55681; Capacitance [nom]: 1300pF; Working Voltage (Vdc)[max]: 50V; Capacitance Tolerance: +/-10%; Dielectric: Multilayer Ceramic; Temperature Coefficient: C0G (NP0); Lead Style: Surface Mount Chip; Lead Dimensions: 1206; Termination: 100% Tin (Sn); Body Dimensions: 0.125" x 0.062" x 0.051"; Container: Bag; Features: MIL-PRF-55681: S Failure Rate
SN74ALVCH162244DGG 16-BIT BUFFER/DRIVER WITH 3-STATE OUTPUTS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SN74ALVC7813-20DL 功能描述:先進(jìn)先出 16-Bit Bus Trnscvr With 3-State Outputs RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問(wèn)時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
SN74ALVC7813-20DLR 功能描述:先進(jìn)先出 64 x 18 3.3-V Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問(wèn)時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
SN74ALVC7813-25DL 功能描述:先進(jìn)先出 16-Bit Bus Trnscvr With 3-State Outputs RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問(wèn)時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
SN74ALVC7813-25DLR 功能描述:先進(jìn)先出 64 x 18 3.3-V Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問(wèn)時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
SN74ALVC7813-40DL 功能描述:先進(jìn)先出 16-Bit Buffer/Driver With 3-State Outputs RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問(wèn)時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
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