參數(shù)資料
型號： SN74ALVC3651PQ
廠商： Texas Instruments, Inc.
英文描述： 2048 】 36 SYNCHRONOUS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORY
中文描述： 2048】36 SYNCHRONOU仛先入先出存儲器
文件頁數(shù)： 23/26頁
文件大?。?/td> 383K
代理商： SN74ALVC3651PQ
SN74ALVC3651
2048
×
36
SYNCHRONOUS FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORY
SDMS025A – OCTOBER 1999 – REVISED DECEMBER 1999
23
POST OFFICE BOX 655303
DALLAS, TEXAS 75265
switching characteristics over recommended ranges of supply voltage and operating free-air
temperature, C
L
= 30 pF (see Figures 1 through 16)
PARAMETER
’ALVC3651-10
MIN
’ALVC3651-15
MIN
’ALVC3651-20
MIN
UNIT
MAX
MAX
MAX
fmax
ta
tpd(C-IR)
tpd(C-OR)
tpd(C-AE)
tpd(C-AF)
100
66.7
50
MHz
Access time, CLKB
↑
to B0–B35
Propagation delay time, CLKA
↑
to IR
Propagation delay time, CLKB
↑
to OR
Propagation delay time, CLKB
↑
to AE
Propagation delay time, CLKA
↑
to AF
Propagation delay time, CLKA
↑
to MBF1 low or MBF2 high
and CLKB
↑
to MBF2 low or MBF1 high
2
7.5
2
9.5
2
11.5
ns
1
6.5
1
8
1
10
ns
1
6.5
1
8
1
10
ns
1
8
1
8
1
10
ns
1
8
1
8
1
10
ns
tpd(C-MF)
0
6.5
0
8
0
10
ns
tpd(C-MR)
Propagation delay time,
CLKA
↑
to B0–B35 and CLKB
↑
to A0–A35
2
11
2
12
2
13
ns
tpd(M-DV)
tpd(R-F)
Propagation delay time, MBB to B0–B35 valid
2
9
2
10
2
12
ns
Propagation delay time, RST low to AE low and AF high
1
6.5
1
7.5
1
8.5
ns
ten
Enable time, CSA and W/RA low to A0–A35 active and CSB
low and W/RB high to B0–B35 active
2
10
2
11
2
12
ns
tdis
Disable time, CSA or W/RA high to A0–A35 at high
impedance and CSB high or W/RB low to B0–B35 at high
impedance
Writing data to the mail1 register when the B0–B35 outputs are active and MBB is high
Writing data to the mail2 register when the A0–A35 outputs are active and MBA is high
1
10
1
11
1
12
ns
相關PDF資料
PDF描述
SN74ALVC7803DL 512 】 18 CLOCKED FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORY
SN74ALVC7804DL 512 】 18 FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORY
SN74ALVC7805DL 256 】 18 LOW-POWER CLOCKED FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORY
SN74ALVC7806DL 256 】 18 LOW-POWER FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORY
SN74ALVC7813DL 64 】 18 LOW-POWER CLOCKED FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORY
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SN74ALVC7803-20DL 功能描述:先進先出 3.3V ABT 16-Bit Buff/Drv W/3-St Otpt RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
SN74ALVC7803-20DLR 功能描述:先進先出 512 x 18 3.3-V Synch 先進先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
SN74ALVC7803-25DL 功能描述:先進先出 16-Bit Buffer/Driver With 3-State Outputs RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
SN74ALVC7803-25DLR 功能描述:先進先出 512 x 18 3.3-V Synch 先進先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
SN74ALVC7803-40DL 功能描述:先進先出 16-Bit Bus Trnscvr With 3-State Outputs RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時鐘頻率:100 MHz 訪問時間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:
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