參數(shù)資料
型號(hào)： SMBJ2K4.0E3
廠商： MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 168K
代理商： SMBJ2K4.0E3
UNIDIRECTIONAL LOW VOLTAGE
SURFACE MOUNT TRANSIENT
VOLTAGE SUPPRESSOR
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
SMBJ2K3.0 thru SMBJ2K5.0, e3
SMBG2K3.0 thru SMBG2K5.0, e3
SMBG
&J2
K
3.0-5.0
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
BREAKDOWN VOLTAGE
Minimum
V(BR)
BREAKDOWN
CURRENT
I(BR)
RATED
STANDOFF
VOLTAGE
VWM
MAX
STANDBY
CURRENT
ID @ VWM
MAX
CLAMPING
VOLTAGE
VC @ IPP
PEAK PULSE
CURRENT
IPP
TEMPERATURE
COEFFICIANT
of
V(BR)
αV(BR)
MICROSEMI
PART
NUMBER
(add SMBJ or
SMBG prefix)
V
mA
V
μA
V
A
% /
oC
2K3.0
2K3.3
2K4.0
2K4.5
2K5.0
4.3
4.6
5.0
5.4
5.9
50
3.0
3.3
4.0
4.5
5.0
1500
700
400
50
5
5.4
5.8
6.3
6.6
7.6
10
+0/-0.05
±0.025
±0.030
±0.040
+0.050
SYMBOLS & DEFINITIONS
Symbol
Definition
Symbol
Definition
VWM
Working Peak (Standoff) Voltage
IPP
Peak Pulse Current
PPP
Peak Pulse Power
VC
Clamping Voltage
V(BR)
Breakdown Voltage
I(BR)
Breakdown Current for V(BR)
ID
Standby Current
GRAPHS
P
PP
–
Peak
Pulse
Power
–
kW
tw – Pulse Width -
μs
Test waveform parmeters: tr=8
μs, tp=20 μs
FIGURE 1
FIGURE 2
Peak Pulse Power vs. Pulse Time
Pulse Waveform for
8/20 s Exponential Surge
Microsemi
Scottsdale Division
Page 2
Copyright
2007
6-21-2007 REV G
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SMBJ2K5.0E3TR 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBG2K3.0TR 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG2K3.0 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBJ2K3.0TR 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMBG2K4.5TR 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SMBJ2K5.0 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR DO-214AA SD - Bulk
SMBJ30 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 30Vr 600W 12.4A 10% UniDirectional RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJ30/1 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 30V 10% Unidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJ30/2 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 30V 10% Uni RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
SMBJ30/2 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE TVS SMB 600W 30V
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