| 型號(hào): | SMBJ11C |
| 廠商: | Littelfuse, Inc. |
| 英文描述: | 12-bit, 25 MSPS 1-Channel AFE for CCD Sensors with Fixed TG 96-BGA MICROSTAR JUNIOR |
| 中文描述: | 硅雪崩二極管- 600W表面貼裝瞬態(tài)電壓抑制器 |
| 文件頁數(shù): | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 326K |
| 代理商: | SMBJ11C |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SMBJ11CA | 12-bit, 25 MSPS 1-Channel AFE for CCD Sensors with Fixed TG 96-BGA MICROSTAR JUNIOR -40 to 85 |
| SMBJ120CA | Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors |
| SMBJ12C | Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors |
| SMBJ13C | Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors |
| SMBJ13CA | Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Suppressors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SMBJ11CA | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 11volts 5uA 33 Amps Bi-Dir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ11CA R4 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 11V 600W 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ11CA/1 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 11V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ11CA/2 | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 11V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |
| SMBJ11CA/2B | 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 600W 11V 5% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C |