參數(shù)資料
型號(hào)： SM8LZ47
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 214K
代理商： SM8LZ47
SM8LZ47
2001-07-13
1
TOSHIBA BI
DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE
SM8LZ47
AC POWER CONTROL APPLICATIONS
Repetitive Peak Off
State Voltage
R.M.S ON
State Current
High Commutating (dv / dt)
Isolation Voltage
MAXIMUM RATINGS
: V
DRM
= 800V
: I
T(RMS)
= 8A
: (dv / dt) c =
1
0V / μs (Min.)
: V
ISOL
=
1
500V AC
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Repetitive PeakOff
State Voltage
V
DRM
800
V
R.M.S On
State Current
(Full Sine Waveform)
I
T (RMS)
8
A
70 (50Hz)
Peak One Cycle Surge On-State
Current (Non
Repetitive)
I
TSM
80 (60Hz)
A
I
2
t Limit Value
I
2
t
24.5
A
2
s
Critical Rate of Rise of On
State
Current
(Note 1)
di / dt
50
A / μs
Peak Gate Power Dissipation
P
GM
5
W
Average Gate Power Dissipation
P
G (AV)
0.5
W
Peak Gate Voltage
V
FGM
10
V
Peak Gate Current
I
GM
2
A
Junction Temperature
T
j
40~125
°C
Storage Temperature Range
T
stg
40~125
°C
Isolation Voltage (AC, t = 1min.)
V
ISOL
1500
V
Note:
di / dt test condition
V
DRM
= 400V, I
TM
≤
12A, t
gw
≥
10μs, t
gr
≤
250ns,
i
gp
= I
GT
×2.0
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
Weight: 1.7g
―
―
13
10H1A
Unit: mm
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PDF描述
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