參數(shù)資料
型號(hào)： SKM600GAL126D
廠商： SEMIKRON INTERNATIONAL
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Trench IGBT Module
中文描述： 660 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： CASE D 57, SEMITRANS 3, 5 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大小： 677K
代理商： SKM600GAL126D
Fig. 7 Typ. switching times vs. I
C
Fig. 8 Typ. switching times vs. gate resistor R
G
Fig. 9 Transient thermal impedance
Fig. 10 CAL diode forward characteristic
Fig. 11 Typ. CAL diode peak reverse recovery current
Fig. 12 Typ. CAL diode peak reverse recovery charge
SKM 600GB126D ...
5
11-09-2006 SEN
by SEMIKRON
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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