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PSMN3R9-60XS
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深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
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聯(lián)系人：周小姐/高先生/曹先生
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深圳市晶美隆科技有限公司
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聯(lián)系人：李林
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深圳市英科美電子有限公司
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深圳市華芯源電子有限公司
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深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
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深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
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聯(lián)系人：田女生
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PSMN3R9-60XS 技術(shù)參數(shù)

PSMN3R9-60PSQ 功能描述:MOSFET N-CH 60V SOT78 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:130A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:103nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5600pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:263W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.9 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN3R9-25MLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:70A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:21.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1524pF @ 12.5V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:69W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.15 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN3R8-30LL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V QFN3333 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.7 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:38nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2085pF @ 15V 功率 - 最大值:69W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:8-DFN3333（3.3x3.3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN3R8-100BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:170nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:9900pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:306W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.9 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN3R7-30YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.95 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1848pF @ 15V 功率 - 最大值:79W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK，電源-SO8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN4R2-60PLQ PSMN4R3-100ES,127 PSMN4R3-100PS,127 PSMN4R3-30BL,118 PSMN4R3-30PL,127 PSMN4R3-80ES,127 PSMN4R3-80PS,127 PSMN4R4-30MLC,115 PSMN4R4-80BS,118 PSMN4R4-80PS,127 PSMN4R5-30YLC,115 PSMN4R5-40BS,118 PSMN4R5-40PS,127 PSMN4R6-100XS,127 PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60PS,127 PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100PSEQ

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