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PSMN3R3-80ES

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  • PSMN3R3-80ES
    PSMN3R3-80ES

    PSMN3R3-80ES

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話(huà)：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • NXP/恩智浦

  • TO-262

  • 22+

  • -

  • 每一片都來(lái)自原廠，正品保證

  • PSMN3R3-80ES
    PSMN3R3-80ES

    PSMN3R3-80ES

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話(huà)：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • NXP/PH

  • 2PAK

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • PSMN3R3-80ES,127
    PSMN3R3-80ES,127

    PSMN3R3-80ES,127

  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：高先生/周小姐/曹先生

    電話(huà)：185208051481376027201713487865852

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室

  • 6214

  • NXP USA Inc.

  • TO-262-3 Long Leads,

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

  • PSMN3R3-80ES,127
    PSMN3R3-80ES,127

    PSMN3R3-80ES,127

  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：高先生/曹先生/周小姐

    電話(huà)：185208051481348786585213760272017

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室

  • 5900

  • Nexperia

  • I2PAK-3

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

  • PSMN3R3-80ES
    PSMN3R3-80ES

    PSMN3R3-80ES

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話(huà)：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 127

  • 2325

  • 1521+

  • NXP SEMIC

  • -

  • 管件

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共21條 
  • 1
PSMN3R3-80ES PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • PHILIPS
  • 制造商全稱(chēng)
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • N-channel 80 V, 3.3 mΩ standard level MOSFET in I2PAK
PSMN3R3-80ES 技術(shù)參數(shù)
  • PSMN3R3-80BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:111nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:8161pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:306W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線(xiàn) + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN3R3-60PLQ 功能描述:MOSFET N-CH 60V 130A TO-220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:130A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:95nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:10115pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:293W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.4 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN3R3-40YS,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:49nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2754pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:117W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.3 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN3R2-30YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:29.5nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2081pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:92W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN3R2-25YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.4 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1781pF @ 12V 功率 - 最大值:79W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK， 電源-SO8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN3R5-80PS,127 PSMN3R7-25YLC,115 PSMN3R7-30YLC,115 PSMN3R8-100BS,118 PSMN3R8-30LL,115 PSMN3R9-25MLC,115 PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60XSQ PSMN4R0-25YLC,115 PSMN4R0-30YL,115 PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-60YS,115 PSMN4R1-30YLC,115 PSMN4R1-60YLX PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-60PLQ PSMN4R3-100ES,127
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