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NP100P04PLG

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  • NP100P04PLG
    NP100P04PLG

    NP100P04PLG

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • RENESAS

  • TO-263

  • 最新批號

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  • NP100P04PLG-E1-AY
    NP100P04PLG-E1-AY

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  • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：高先生/周小姐/曹先生

    電話：185208051481376027201713487865852

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 86369

  • Renesas Electronics Ameri

  • TO-263-3, D虜Pak (2 L

  • 25+

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  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

  • NP100P04PLG-E1-AY
    NP100P04PLG-E1-AY

    NP100P04PLG-E1-AY

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

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  • RENESAS E

  • REEL

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  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • NP100P04PLG-E1-AY
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  • 深圳市芯馳科技有限公司
    深圳市芯馳科技有限公司

    聯(lián)系人：丁皓鵬

    電話：1866538497818124166365

    地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331

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  • Renesas

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  • 制造商
  • NEC
  • 制造商全稱
  • NEC
  • 功能描述
  • MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP100P04PLG 技術(shù)參數(shù)
  • NP04SZB4R7N 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 1.6A 100 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:4.7μH 容差:±30% 額定電流:1.6A 電流 - 飽和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:100 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:27MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 NP04SZB2R2N 功能描述:2.2μH Shielded Inductor 2.5A 42 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2.2μH 容差:±30% 額定電流:2.5A 電流 - 飽和值:2.7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:42 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:60MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 NP04SZB220M 功能描述:22μH Shielded Inductor 770mA 300 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:22μH 容差:±20% 額定電流:770mA 電流 - 飽和值:770mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:300 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:10MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 NP04SZB1R0N 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 3.2A 30 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±30% 額定電流:3.2A 電流 - 飽和值:4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:30 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:96MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 NP04SZB100M 功能描述:10μH Shielded Inductor 1.2A 130 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:1.2A 電流 - 飽和值:1.3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:130 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:15MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬（5.00mm x 5.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.079"（2.00mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 NP11 NP1100SAMCT3G NP1100SAT3G NP1100SBMCT3G NP1100SBT3G NP1100SCMCT3G NP1100SCT3G NP110N03PUG-E1-AY NP110N04PDG-E1-AY NP110N04PUG-E1-AY NP110N04PUJ-E1B-AY NP110N04PUK-E1-AY NP110N055PUG-E1-AY NP110N055PUG-E2-AY NP110N055PUJ-E2B-AY NP110N055PUK-E1-AY NP1111510000G NP1211510000G
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