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NOSC686MOO2R0200

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NOSC686MOO2R0200 技術(shù)參數(shù)
  • NOSC686M006S0200 功能描述:68μF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 2312 (6032 Metric) 200 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電容:68μF 容差:±20% 電壓 - 額定:6.3V ESR（等效串聯(lián)電阻）:200 毫歐 電流 - 漏泄:8.2μA 耗散因數(shù):6% 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2312（6032 公制） 制造商尺寸代碼:C 高度 - 安裝（最大值）:0.122"（3.10mm） 特性:低 ESR 工作溫度:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1 NOSC686M006R0200 功能描述:68μF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 2312 (6032 Metric) 200 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電容:68μF 容差:±20% 電壓 - 額定:6.3V ESR（等效串聯(lián)電阻）:200 毫歐 電流 - 漏泄:8.2μA 耗散因數(shù):6% 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2312（6032 公制） 制造商尺寸代碼:C 高度 - 安裝（最大值）:0.110"（2.80mm） 特性:低 ESR 工作溫度:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1 NOSC686M004R0200 功能描述:68μF Niobium Oxide Capacitor 4V 2312 (6032 Metric) 200 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 電容:68μF 容差:±20% 電壓 - 額定:4V ESR（等效串聯(lián)電阻）:200 毫歐 電流 - 漏泄:5.4μA 耗散因數(shù):6% 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2312（6032 公制） 制造商尺寸代碼:C 高度 - 安裝（最大值）:0.110"（2.80mm） 特性:低 ESR 工作溫度:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1 NOSC686M002R0200 功能描述:68μF Niobium Oxide Capacitor 2.5V 2312 (6032 Metric) 200 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 電容:68μF 容差:±20% 電壓 - 額定:2.5V ESR（等效串聯(lián)電阻）:200 毫歐 電流 - 漏泄:3.4μA 耗散因數(shù):6% 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2312（6032 公制） 制造商尺寸代碼:C 高度 - 安裝（最大值）:0.110"（2.80mm） 特性:低 ESR 工作溫度:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1 NOSC227M002R0080 功能描述:220μF Niobium Oxide Capacitor 2.5V 2312 (6032 Metric) 80 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 電容:220μF 容差:±20% 電壓 - 額定:2.5V ESR（等效串聯(lián)電阻）:80 毫歐 電流 - 漏泄:11μA 耗散因數(shù):8% 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2312（6032 公制） 制造商尺寸代碼:C 高度 - 安裝（最大值）:0.110"（2.80mm） 特性:低 ESR 工作溫度:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1 NOSD227M006R0060 NOSD227M006R0100 NOSD337M002R0035 NOSD337M002R0100 NOSD337M004R0035 NOSD337M004R0100 NOSD477M002R0035 NOSD477M002R0055 NOSD477M002R0100 NOSD477M004R0100 NOSE227M006R0080 NOSE227M006R0100 NOSE337M004R0100 NOSE337M006R0080 NOSE337M006R0100 NOSE477M002R0100 NOSE477M004R0075 NOSE477M004R0100
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