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EPC2L120N

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  • EPC2L120N
    EPC2L120N

    EPC2L120N

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • ALTERA

  • PLCC

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • EPC2L120N
    EPC2L120N

    EPC2L120N

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ALTERA

  • PLCC

  • 09+環(huán)保

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • EPC2L120N
    EPC2L120N

    EPC2L120N

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：134242936540755-83690762

    地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場(chǎng)A座1503

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 3240

  • ALTERA

  • PLCC20

  • 0922+;0

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨/特價(jià)

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EPC2L120N 技術(shù)參數(shù)
  • EPC2818 功能描述:TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:150V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 6A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:7.5nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:540pF @ 100V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C （TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2815 功能描述:TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:33A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 33A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 9mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11.6nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1200pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2801 功能描述:TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:25A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 25A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:950pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C （TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2111ENGRT 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:16A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 15A，5V，8 毫歐 @ 15A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2111 功能描述:TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID 制造商:epc 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:16A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 15A，5V，8 毫歐 @ 15A，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:230pF @ 15V，590pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC4QC100N EPC4QI100 EPC4QI100N EPC8002 EPC8002ENGR EPC8003ENGR EPC8004 EPC8004ENGR EPC8005ENGR EPC8007ENGR EPC8008ENGR EPC8009 EPC8009ENGR EPC8010 EPC8010ENGR EPC8QC100 EPC8QC100N EPC8QI100
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