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    ECJRVC1H100F

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    • ECJRVC1H100F
      ECJRVC1H100F

      ECJRVC1H100F

    • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
      北京元坤偉業(yè)科技有限公司

      聯(lián)系人:劉先生

      電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

      地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

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      ECJRVC1H100F

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    • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
      北京元坤偉業(yè)科技有限公司

      聯(lián)系人:劉先生

      電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

      地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

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    • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
      深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

      聯(lián)系人:史仙雁

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    • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
      深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

      聯(lián)系人:何芝

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      地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

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    • 2850

    • PANASONIC

    • SMD

    • 201333

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    • 原裝正品,現(xiàn)貨庫存,400-800-03...

    • ECJRVC1H100F
      ECJRVC1H100F

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    • 深圳市華芯盛世科技有限公司
      深圳市華芯盛世科技有限公司

      聯(lián)系人:唐先生

      電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

      地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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    • 制造商
    • Panasonic Industrial Company
    • 功能描述
    ECJRVC1H100F 技術參數(shù)
    • ECI-2 功能描述:Component Insulator Capacitors, Electrolytic Circular 0.005" (0.13mm) Clear 制造商:bivar inc. 系列:ECI 零件狀態(tài):有效 類型:絕緣體 形狀:圓形 使用:電容器,電解 材料:聚酯 顏色:透明 特性:- 長度:- 寬度:- 高度:0.005"(0.13mm) 直徑 - 外部:0.831"(21.10mm) 直徑 - 內部:- 標準包裝:1,000 ECH8655R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 9A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):24V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):17 毫歐 @ 4.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):16.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8654-TL-H 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):38 毫歐 @ 3A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):960pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8651R-TL-H 功能描述:MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):24V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8620-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2A,1.5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):260 毫歐 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):650pF @ 20V 功率 - 最大值:1.3W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECJ-RVC1H221K ECJ-RVC1H270K ECJ-RVC1H271K ECJ-RVC1H330K ECJ-RVC1H331K ECJ-RVC1H390K ECJ-RVC1H391K ECJ-RVC1H470K ECJ-RVC1H471K ECJ-RVC1H560K ECJ-RVC1H680K ECJ-RVC1H820K ECJ-RVF1A105Z ECJ-RVF1E104Z ECJ-TVB0J105M ECJ-TVB1A104M ECJ-TVB1C103M ECJ-TVB1E472M
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