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ECH8306

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制造商
SANYO
制造商全稱
Sanyo Semicon Device
功能描述
P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device

ECH8306 技術(shù)參數(shù)

ECH8305-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 4A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:85 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1680pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8304-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 4.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:33nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3180pF @ 6V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8302-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 30V 7A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SMD，扁平引線供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECG-PRO-3-WAY-CABLE 功能描述:- Cable Assembly 制造商:olimex ltd 系列:- 零件狀態(tài):有效配件類型:纜線組件配套使用產(chǎn)品/相關產(chǎn)品:- 標準包裝:1 ECG8035H-100MMX3M 功能描述:ELECT COND CUSHION GASKET 100MMX 制造商:3m 系列:ECG8000H 零件狀態(tài):在售膠帶類型:導電性粘膠粘合劑:丙烯酸底布，載體:聚氨脂泡沫厚度:0.0138"（13.8 mils，0.350mm）厚度 - 粘合劑:- 厚度 - 底布，載體:- 寬度:3.94"（100.00mm）長度:10'（3.0m）3.3 碼顏色:- 使用:電子導電溫度范圍:- 標準包裝:1 ECH8410-TL-H ECH8411-TL-E ECH8419-TL-H ECH8420-TL-H ECH8501-TL-H ECH8502-TL-H ECH8503-TL-H ECH8601M-C-TL-H ECH8601M-C-TL-HX ECH8601M-TL-H ECH8601M-TL-H-P ECH8602M-TL-H ECH8619-TL-E ECH8620-TL-E ECH8649-TL-H ECH8651R-R-TL-H ECH8651R-TL-H ECH8651R-TL-HX

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