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    CRZ30(TE85L,Q)

    配單專家企業(yè)名單
    • 型號
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    • 數(shù)量
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    • 封裝
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    • CRZ30(TE85L,Q)
      CRZ30(TE85L,Q)

      CRZ30(TE85L,Q)

    • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司
      深圳市芯脈實業(yè)有限公司

      聯(lián)系人:高先生/周小姐/曹先生

      電話:185208051481376027201713487865852

      地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室

    • 25764

    • Toshiba Semiconductor and

    • SOD-123F

    • 25+

    • -
    • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

    • 1/1頁 40條/頁 共10條 
    • 1
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    • 功能描述
    • 穩(wěn)壓二極管 30V 0.7W
    • RoHS
    • 制造商
    • Vishay Semiconductors
    • 齊納電壓
    • 12 V
    • 電壓容差
    • 5 %
    • 電壓溫度系數(shù)
    • 0.075 % / K
    • 齊納電流
    • 功率耗散
    • 3 W
    • 最大反向漏泄電流
    • 3 uA
    • 最大齊納阻抗
    • 7 Ohms
    • 最大工作溫度
    • + 150 C
    • 安裝風(fēng)格
    • SMD/SMT
    • 封裝 / 箱體
    • DO-214AC
    • 封裝
    • Reel
    CRZ30(TE85L,Q) 技術(shù)參數(shù)
    • CRZ27(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):27V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 19V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT(1.6x3.5) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CRZ24(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):24V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 17V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT(1.6x3.5) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CRZ22(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):22V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 16V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT(1.6x3.5) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CRZ22(TE85L,Q) 功能描述:Zener Diode 22V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):22V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 16V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT(1.6x3.5) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CRZ20(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):20V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 14V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT(1.6x3.5) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CS00 CS00094AC-J5-DCC-32.7707 CS00094AC-J5-DCC-32.7707E CS00095AC-J1-DCC-32.7707 CS00095AC-J1-DCC-32.7707E CS00096AC-J1-18E-0032.7707 CS00096AC-J1-18E-0032.7707E CS-00505 CS-00510 CS-00516 CS0068-000 CS0078-000 CS0085-000 CS0091-000 CS0095-000 CS01.0121.150 CS01.0221.150 CS0103-000
    配單專家

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