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CDZT2R6.8B/0402-6.8V

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CDZT2R6.8B/0402-6.8V 技術(shù)參數(shù)
  • CDZT2R6.8B 功能描述:Zener Diode 6.8V 100mW ±2% Surface Mount VMN2 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±2% 功率 - 最大值:100mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 3.5V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:VMN2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CDZT2R6.2B 功能描述:Zener Diode 6.2V 100mW ±2% Surface Mount VMN2 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Not For New Designs 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:100mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 3V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:VMN2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CDZT2R5.6B 功能描述:Zener Diode 5.6V 100mW ±2% Surface Mount VMN2 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:100mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 2.5V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:VMN2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CDZT2R5.1B 功能描述:Zener Diode 5.1V 100mW ±2% Surface Mount VMN2 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:5.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:100mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1.5V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:VMN2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CDZT2R4.7B 功能描述:Zener Diode 4.7V 100mW ±2% Surface Mount VMN2 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):Not For New Designs 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:4.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:100mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:VMN2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 CDZT2RA4.7B CDZT2RA5.1B CDZT2RA5.6B CDZT2RA6.2B CDZT2RA6.8B CDZT2RA7.5B CDZT2RA8.2B CDZT2RA9.1B CDZVT2R10B CDZVT2R11B CDZVT2R12B CDZVT2R15B CDZVT2R16B CDZVT2R18B CDZVT2R2.0B CDZVT2R2.2B CDZVT2R2.4B CDZVT2R2.7B
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