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BZX55C5V1-MIL

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BZX55C5V1-MIL 技術參數
  • BZX55C5V1_T50R 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±6% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:35 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55C5V1_T50A 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±6% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:35 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55C5V1 A0G 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:35 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55C5V1 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±6% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:35 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 BZX55C56-TR 功能描述:Zener Diode 56V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:135 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 43V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55C62 A0G BZX55C62-TAP BZX55C62-TR BZX55C68 A0G BZX55C68-TAP BZX55C68-TR BZX55C6V2 BZX55C6V2 A0G BZX55C6V2_T50R BZX55C6V2-TAP BZX55C6V2-TR BZX55C6V8 BZX55C6V8 A0G BZX55C6V8_T26A BZX55C6V8_T50A BZX55C6V8_T50R BZX55C6V8-TAP BZX55C6V8-TR
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