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BUZ325

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供應(yīng)商
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廠商
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批號
價格
說明
操作

BUZ325
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
20938
ST和英飛凌
TO-3P
22+
-

BUZ325
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯(lián)系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
INF
TO-218
22+
-
全新原裝現(xiàn)貨供應(yīng)

BUZ325
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
INFINEON/英飛凌
TO218
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

BUZ325
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
TO-220
25+
-
國產(chǎn)品牌，替代進口

BUZ325
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯(lián)系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
885000
YXYBDT臺灣
TO-220
2025+
-
代理臺灣YXYBDT.現(xiàn)貨

BUZ325
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
8650000
INF
TO-218
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

BUZ325
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
638850
INF
TO-218
最新批次
-
OEM渠道，價格超越代理！

BUZ325
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
SIEMENS
TO-247
04+
-
假一罰十，百分百原裝正品

BUZ325
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
4810
ST和英飛凌
TO-3P
13+
-
原裝正品現(xiàn)貨庫存

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制造商
INFINEON
制造商全稱
Infineon Technologies AG
功能描述
SIPMOS Power Transistor

BUZ325 技術(shù)參數(shù)

BUZ32 H 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:530pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-3 標準包裝:500 BUZ32 E3045A 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:530pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1,000 BUZ32 功能描述:MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220AB 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:530pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-3 標準包裝:500 BUZ31L H 功能描述:MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:13.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 7A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1600pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-3 標準包裝:500 BUZ31L E3044A 功能描述:MOSFET N-CH 200V 13.5A TO-220 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:13.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 7A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1600pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-3-1 標準包裝:1,000 BUZ73H3046XKSA1 BUZ73HXKSA1 BUZ73L BUZ73LHXKSA1 BUZ80A BUZZER-KIT-ND BV-001-3A BV-001-4A BV-002-1A BV002ASJ16049CW BV002ASQ20049CZ BV002BSQ20049CZ BV002SSQ160404CZ BV002SSQ200404CZ BV-003-1A BV020-5370.0 BV020-5371.0 BV020-5372.0

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