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BTS117.

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BTS117. PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET LOGIC SMART SWITCH TO-220
BTS117. 技術參數(shù)
  • BTS117 E3045A 功能描述:電源開關 IC - POE / LAN RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 開關數(shù)量:Single 開關配置:SPST 開啟電阻(最大值):7.3 Ohms 串話: 帶寬: 開啟時間(最大值):13 ns 關閉時間(最大值):20 ns 切換電壓(最大): 工作電源電壓:8 V to 26 V 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220F-6 BTS117 功能描述:電源開關 IC - POE / LAN SMART LOW SIDE PWR SWITCH RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 開關數(shù)量:Single 開關配置:SPST 開啟電阻(最大值):7.3 Ohms 串話: 帶寬: 開啟時間(最大值):13 ns 關閉時間(最大值):20 ns 切換電壓(最大): 工作電源電壓:8 V to 26 V 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220F-6 BTS115ANKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 50V 15.5A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):15.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 7.8A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):735pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:P-TO220AB 標準包裝:500 BTS115A 功能描述:Hex Standoff Threaded #6-32 Brass 0.500" (12.70mm) 1/2" 制造商:essentra components 系列:BTS 零件狀態(tài):有效 類型:六角支座 有絲/無絲:有螺紋 公母:公頭,母頭 螺釘,螺紋規(guī)格:#6-32 直徑 - 內(nèi)部:- 直徑 - 外部:0.250"(6.35mm) 1/4" 六角形 板間高度:0.500"(12.70mm)1/2" 長度 - 總:0.750"(19.05mm)3/4" 特性:- 材料:黃銅 鍍層:鎳 顏色:- 重量:- 標準包裝:500 BTS113ANKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):170 毫歐 @ 5.8A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):560pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:P-TO220AB 標準包裝:500 BTS-125-01-F-D BTS-125-01-F-D-A BTS-125-01-F-D-A-K BTS-125-01-F-D-K BTS-125-01-H-D-A BTS-125-01-H-D-A-K BTS-125-01-L-D BTS-125-01-L-D-A BTS-125-01-L-D-A-K BTS-125-01-L-D-A-TR BTS-125-01-L-D-EM2 BTS-125-01-L-D-K BTS125A BTS130A BTS133 BTS133 E3045A BTS133BKSA1 BTS133E3064NKSA1
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