您好，歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費注冊
您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > B字母型號搜索 >

BSS295E6325

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
BSS295E6325 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • INFINEON
  • 制造商全稱
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • SIPMOS Small-Signal Transistor
BSS295E6325 技術(shù)參數(shù)
  • BSS225L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:90mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 90mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:131pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PG-SOT89 標準包裝:1,000 BSS225H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:90mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 90mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:131pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PG-SOT89 標準包裝:1,000 BSS225H6327FTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:90mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 90mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:131pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PG-SOT89 標準包裝:1 BSS225 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:90mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 歐姆 @ 90mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:131pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PG-SOT89 標準包裝:1,000 BSS223PWH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 20V 390MA SOT-323 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:390mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.2 歐姆 @ 390mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 1.5μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.62nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:56pF @ 15V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:1 BSS315P H6327 BSS315PH6327XTSA1 BSS315PL6327HTSA1 BSS316N H6327 BSS316NH6327XTSA1 BSS316NL6327HTSA1 BSS340NWH6327XTSA1 BSS44 BSS606NH6327XTSA1 BSS63 BSS63,215 BSS63LT1G BSS64 BSS64,215 BSS64LT1 BSS64LT1G BSS670S2L BSS670S2L H6327
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*
配單專家

在采購BSS295E6325進貨過程中，您使用搜索有什么問題和建議？點此反饋

友情提醒：為規(guī)避購買BSS295E6325產(chǎn)品風險，建議您在購買BSS295E6325相關產(chǎn)品前務必確認供應商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

免責聲明：以上所展示的BSS295E6325信息由會員自行提供，BSS295E6325內(nèi)容的真實性、準確性和合法性由發(fā)布會員負責。買賣IC網(wǎng)不承擔任何責任。

買賣IC網(wǎng) (hkdtupc.cn) 版權(quán)所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術(shù)有限公司 | 粵公網(wǎng)安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號