您好,歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費注冊
您現(xiàn)在的位置:買賣IC網(wǎng) > B字母型號搜索 >

BSC093N04LSGCT

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作

沒找到與 " BSC093N04LSGCT " 相關的供應商

您可以:

1. 縮短或修改您的搜索詞,重新搜索

2. 發(fā)布緊急采購,3分鐘左右您將得到回復 發(fā)布緊急采購

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
BSC093N04LSGCT PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
BSC093N04LSGCT 技術參數(shù)
  • BSC093N04LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):13A(Ta),49A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9.3 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 14μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1900pF @ 20V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC0925NDATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(雙路降壓斬波器) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):15A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1157pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TISON-8 標準包裝:5,000 BSC0924NDIATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)非對稱型 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):17A,32A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1160pF @ 15V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TISON-8 標準包裝:5,000 BSC0923NDIATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)非對稱型 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):17A,32A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1160pF @ 15V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TISON-8 標準包裝:5,000 BSC0921NDIATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 N 溝道(雙)非對稱型 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):17A, 31A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1025pF @ 15V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TISON-8 標準包裝:1 BSC100N03MSGATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N10NSFGATMA1 BSC105N10LSFGATMA1 BSC106N025S G BSC109N10NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 BSC117N08NS5ATMA1 BSC118N10NSGATMA1 BSC119N03S G BSC120N03LSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N10LSGATMA1 BSC12DN20NS3 G BSC12DN20NS3GATMA1 BSC130P03LS G
配單專家

在采購BSC093N04LSGCT進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規(guī)避購買BSC093N04LSGCT產(chǎn)品風險,建議您在購買BSC093N04LSGCT相關產(chǎn)品前務必確認供應商資質及產(chǎn)品質量。

免責聲明:以上所展示的BSC093N04LSGCT信息由會員自行提供,BSC093N04LSGCT內(nèi)容的真實性、準確性和合法性由發(fā)布會員負責。買賣IC網(wǎng)不承擔任何責任。

買賣IC網(wǎng) (hkdtupc.cn) 版權所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術有限公司 | 粵公網(wǎng)安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號