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BLF4G20S-110B,112

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BLF4G20S-110B,112 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Freescale Semiconductor
  • 配置
  • Single
  • 晶體管極性
  • 頻率
  • 1800 MHz to 2000 MHz
  • 增益
  • 27 dB
  • 輸出功率
  • 100 W
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 漏極連續(xù)電流
  • 閘/源擊穿電壓
  • 最大工作溫度
  • 封裝 / 箱體
  • NI-780-4
  • 封裝
  • Tray
BLF4G20S-110B,112 技術參數
  • BLF4G20LS-130,112 功能描述:FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:LDMOS 頻率:1.93GHz ~ 1.99GHz 增益:14.6dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:15A 噪聲系數:- 電流 - 測試:900mA 功率 - 輸出:130W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-502B 供應商器件封裝:SOT502B 標準包裝:60 BLF4G20LS-110B,112 功能描述:FET RF 65V 1.99GHZ SOT502B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:LDMOS 頻率:1.93GHz ~ 1.99GHz 增益:13.4dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:12A 噪聲系數:- 電流 - 測試:650mA 功率 - 輸出:100W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-502B 供應商器件封裝:SOT502B 標準包裝:60 BLF4G20-110B,112 功能描述:FET RF 65V 1.99GHZ SOT502A 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:LDMOS 頻率:1.93GHz ~ 1.99GHz 增益:13.5dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:12A 噪聲系數:- 電流 - 測試:700mA 功率 - 輸出:100W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-502A 供應商器件封裝:LDMOST 標準包裝:60 BLF4G10LS-160,112 功能描述:FET RF 65V 894.2MHZ SOT502B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:LDMOS 頻率:894.2MHz 增益:19.7dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:15A 噪聲系數:- 電流 - 測試:900mA 功率 - 輸出:160W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-502B 供應商器件封裝:SOT502B 標準包裝:60 BLF4G10LS-120,112 功能描述:FET RF 65V 960MHZ SOT502B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:LDMOS 頻率:920MHz ~ 960MHz 增益:19dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:12A 噪聲系數:- 電流 - 測試:650mA 功率 - 輸出:48W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-502B 供應商器件封裝:SOT502B 標準包裝:20 BLF573S,112 BLF574,112 BLF574XR,112 BLF574XRS,112 BLF578,112 BLF578XR,112 BLF578XRS,112 BLF640U BLF642,112 BLF644PU BLF645,112 BLF647,112 BLF647P,112 BLF647PS,112 BLF647PSJ BLF6G10-135RN,112 BLF6G10-160RN,112 BLF6G10-200RN,112
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