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BFR30/DG/B2

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  • BFR30/DG/B2
    BFR30/DG/B2

    BFR30/DG/B2

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：134242936540755-83690762

    地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座1503

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 2990

  • 原裝NXP

  • SOT23

  • 2015+PB

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨/特價

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BFR30/DG/B2 技術參數(shù)
  • BFR30,235 功能描述:JFET N-Channel 4mA @ 10V 250mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:25V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:4mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:5V @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:10,000 BFR30,215 功能描述:JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:25V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:4mA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:10mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:5V @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 BFR2821S1 功能描述:CIRCULAR 制造商:itt cannon, llc 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:25 BFR2821P1 功能描述:CIRCULAR 制造商:itt cannon, llc 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:25 BFR281P1F80 功能描述:CIRCULAR 制造商:itt cannon, llc 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:25 BFR340L3E6327XTMA1 BFR35APE6327HTSA1 BFR360FH6327XTSA1 BFR360FH6765XTSA1 BFR360L3E6765XTMA1 BFR380FH6327XTSA1 BFR380L3E6327XTMA1 BFR460L3E6327XTMA1 BFR505,215 BFR505T,115 BFR520,215 BFR520,235 BFR520T,115 BFR540,215 BFR540,235 BFR720L3RHE6327XTSA1 BFR740EL3E6829XTSA1 BFR740L3RHE6327XTSA1
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