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BC384

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  • BC384
    BC384

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話(huà)：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

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  • 原廠(chǎng)封裝

  • 最新批號(hào)

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  • BC3845BN
    BC3845BN

    BC3845BN

  • 深圳市時(shí)興宇電子有限公司
    深圳市時(shí)興宇電子有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話(huà)：0755-830415598397218513430523058

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北都會(huì)大廈A座19樓19G

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  • BC384
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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

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  • 假一罰十，百分百原裝正品

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  • 制造商
  • 未知廠(chǎng)家
  • 制造商全稱(chēng)
  • 未知廠(chǎng)家
  • 功能描述
  • TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18
BC384 技術(shù)參數(shù)
  • BC373ZL1G 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 1A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類(lèi)型:NPN - 達(dá)林頓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.1V @ 250μA，250mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線(xiàn)） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BC373ZL1 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 1A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類(lèi)型:NPN - 達(dá)林頓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.1V @ 250μA，250mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線(xiàn)） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BC373RL1G 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 1A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類(lèi)型:NPN - 達(dá)林頓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.1V @ 250μA，250mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線(xiàn)） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BC373RL1 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 1A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類(lèi)型:NPN - 達(dá)林頓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.1V @ 250μA，250mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線(xiàn)） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 BC373G 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 1A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類(lèi)型:NPN - 達(dá)林頓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.1V @ 250μA，250mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BC3AAW BC3S-S10-C0 BC3S-S10-D BC3S-S10-D0 BC40 BC413159A06-IPK-E4 BC413159A10-IPK-E4 BC413159A11-IQA-E4 BC413159B10-IPK-E4 BC417143B-GIQN-E4 BC417143B-GIRN-E4 BC417143B-IQN-E4 BC417143B-IRN-E4 BC419143B-ANN-E4 BC41B143A05-ANN-E4 BC41B143A06-ANN-E4 BC41B143A06-IRK-E4 BC41B143A06-IXB-E4
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