• <wbr id="tfby9"></wbr>
  • <dl id="tfby9"><menuitem id="tfby9"></menuitem></dl>
  • <ins id="tfby9"><label id="tfby9"></label></ins>
  • 您好,歡迎來(lái)到買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)
    您現(xiàn)在的位置:買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > A字母型號(hào)搜索 > A字母第2554頁(yè) >

    APT34F100L

    配單專(zhuān)家企業(yè)名單
    • 型號(hào)
    • 供應(yīng)商
    • 數(shù)量
    • 廠(chǎng)商
    • 封裝
    • 批號(hào)
    • 價(jià)格
    • 說(shuō)明
    • 操作
    • APT34F100LMI
      APT34F100LMI

      APT34F100LMI

    • 深圳市佳斯泰科技有限公司
      深圳市佳斯泰科技有限公司

      聯(lián)系人:廖小姐

      電話(huà):13410012158

      地址:廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層

    • 5000

    • Microsemi

    • TO-264

    • 11+

    • -
    • 100%進(jìn)口原裝正品,只做原裝

    • APT34F100L
      APT34F100L

      APT34F100L

    • 深圳市思諾康科技有限公司
      深圳市思諾康科技有限公司

      聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

      電話(huà):0755-83286481

      地址:坂田街道東坡路3號(hào)萬(wàn)致天地商業(yè)中心(A塔)1棟一單元1602

    • 9900

    • Microchip Technology

    • TO-264-3

    • 23+

    • -
    • 微芯專(zhuān)營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

    • APT34F100L
      APT34F100L

      APT34F100L

    • 深圳市華芯盛世科技有限公司
      深圳市華芯盛世科技有限公司

      聯(lián)系人:唐先生

      電話(huà):0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

      地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

    • 865000

    • MICROSEMI

    • TO-264

    • 最新批號(hào)

    • -
    • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨!

    • APT34F100L
      APT34F100L

      APT34F100L

    • 標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司
      標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司

      聯(lián)系人:朱小姐

      電話(huà):83617149

      地址:新華強(qiáng)廣場(chǎng)2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813室

      資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

    • 119

    • Microsemi Power Products

    • 2016+

    • -
    • 公司現(xiàn)貨!只做原裝!

    • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共27條 
    • 1
    APT34F100L PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
    • 功能描述
    • MOSFET N-CH 1000V 35A TO264
    • RoHS
    • 類(lèi)別
    • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
    • 系列
    • -
    • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
    • 1,000
    • 系列
    • MESH OVERLAY™
    • FET 型
    • MOSFET N 通道,金屬氧化物
    • FET 特點(diǎn)
    • 邏輯電平門(mén)
    • 漏極至源極電壓(Vdss)
    • 200V
    • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
    • 18A
    • 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
    • 180 毫歐 @ 9A,10V
    • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)
    • 4V @ 250µA
    • 閘電荷(Qg) @ Vgs
    • 72nC @ 10V
    • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
    • 1560pF @ 25V
    • 功率 - 最大
    • 40W
    • 安裝類(lèi)型
    • 通孔
    • 封裝/外殼
    • TO-220-3 整包
    • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
    • TO-220FP
    • 包裝
    • 管件
    APT34F100L 技術(shù)參數(shù)
    • APT34F100B2 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):380 毫歐 @ 18A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):305nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):9835pF @ 25V 功率 - 最大值:1135W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應(yīng)商器件封裝:T-MAX? [B2] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT33N90JCU3 功能描述:MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):33A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 26A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):270nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):6800pF @ 100V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT33N90JCU2 功能描述:MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):33A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):270nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):6800pF @ 100V FET 功能:超級(jí)結(jié) 功率耗散(最大值):290W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 26A,10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:底座安裝 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT33N90JCCU2 功能描述:MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):33A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 26A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):270nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):6800pF @ 100V 功率 - 最大值:290W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:SOT-227 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT33GF120LRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 1200V 64A 357W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類(lèi)型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):64A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3V @ 15V,25A 功率 - 最大值:357W 開(kāi)關(guān)能量:1.315mJ(開(kāi)),1.515mJ(關(guān)) 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:170nC 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:14ns/185ns 測(cè)試條件:800V,25A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-264-3,TO-264AA 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 APT35GN120BG APT35GN120L2DQ2G APT35GP120B2DQ2G APT35GP120BG APT35GP120J APT35GP120JDQ2 APT35GT120JU2 APT35GT120JU3 APT36GA60B APT36GA60BD15 APT36N90BC3G APT37F50B APT37F50S APT37M100B2 APT37M100L APT38F50J APT38F80B2 APT38F80L
    配單專(zhuān)家

    在采購(gòu)APT34F100L進(jìn)貨過(guò)程中,您使用搜索有什么問(wèn)題和建議?點(diǎn)此反饋

    友情提醒:為規(guī)避購(gòu)買(mǎi)APT34F100L產(chǎn)品風(fēng)險(xiǎn),建議您在購(gòu)買(mǎi)APT34F100L相關(guān)產(chǎn)品前務(wù)必確認(rèn)供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

    免責(zé)聲明:以上所展示的APT34F100L信息由會(huì)員自行提供,APT34F100L內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

    買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) (hkdtupc.cn) 版權(quán)所有?2006-2019
    深圳市碩贏互動(dòng)信息技術(shù)有限公司 | 粵公網(wǎng)安備 44030402000118號(hào) | 粵ICP備14064281號(hào)