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AON7702T

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  • AON7702T
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    AON7702T

  • 深圳市大源實(shí)業(yè)科技有限公司
    深圳市大源實(shí)業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：李女士

    電話：1530261991513762584085

    地址：深圳市龍崗區(qū)五和大道山海商業(yè)廣場(chǎng)C座707室

  • 50500

  • ALPH

  • QFN-14

  • 24+

  • -

  • 原裝，公司部分現(xiàn)貨，有單來(lái)談QQ:161...

  • AON7702T
    AON7702T

    AON7702T

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • AO

  • QFN

  • 最新批號(hào)

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  • AON7702T
    AON7702T

    AON7702T

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5425

  • ALPH

  • QFN

  • 08+pb

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  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共17條 
  • 1
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AON7702T 技術(shù)參數(shù)
  • AON7702B 功能描述:MOSFET N-CH 30V 13.5A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物! FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:13.5A（Ta），20A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9.5 毫歐 @ 13.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:810pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON7702A_101 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物! FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:13.5A（Ta），36A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 155°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON7702 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8-DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物! FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:13.5A（Ta），36A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 13.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:48nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4250pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON7700 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8-DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物! FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:16A（Ta），40A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.5 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:33nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4250pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON7611 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 9A/18.5A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道，共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A，18.5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:170pF @ 15V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON7804_102 AON7810 AON7812 AON7820 AON7826 AON7900 AON7902 AON7932 AON7932_101 AON7934 AONR32314 AOP605 AOP607 AOP609 AOP610 AORN1001AT5 AORN100-1AT5 AORN1002AT5
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