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AON6718L(6718)

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AON6718L(6718) 技術參數(shù)
  • AON6702 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5X6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SRFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物! FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:26A（Ta），85A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:123nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7080pF @ 15V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN（5x6） 標準包裝:1 AON6598 功能描述:MOSFET N-CH DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件狀態(tài):停產 標準包裝:3,000 AON6596 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Ta），35A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1150pF @ 15V 功率 - 最大值:5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN（5x6） 標準包裝:3,000 AON6594 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:22A（Ta），35A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1037pF @ 15V 功率 - 最大值:5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN（5x6） 標準包裝:3,000 AON6590 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:67A（Ta），100A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:0.99 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8320pF @ 20V 功率 - 最大值:7.3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應商器件封裝:8-DFN（5x6） 標準包裝:3,000 AON6758_102 AON6758_103 AON6758_104 AON6760 AON6764 AON6774 AON6780 AON6782 AON6786_001 AON6792 AON6794 AON6796 AON6810 AON6812 AON6816 AON6850 AON6884 AON6884L
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