先進(jìn)先出 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II 先進(jìn)先出
RoHS
否
制造商
IDT
電路數(shù)量
數(shù)據(jù)總線寬度
18 bit
總線定向
Unidirectional
存儲容量
4 Mbit
定時(shí)類型
Synchronous
組織
256 K x 18
最大時(shí)鐘頻率
100 MHz
訪問時(shí)間
10 ns
電源電壓-最大
3.6 V
電源電壓-最小
6 V
最大工作電流
35 mA
最大工作溫度
+ 85 C
封裝 / 箱體
TQFP-80
封裝
72V2113L6BC 技術(shù)參數(shù)
72V2113L15PF8功能描述:先進(jìn)先出 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II 先進(jìn)先出 RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:72V2113L15PF功能描述:先進(jìn)先出 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II 先進(jìn)先出 RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:72V2113L10PFI8功能描述:先進(jìn)先出 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II 先進(jìn)先出 RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:72V2113L10PFI功能描述:先進(jìn)先出 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II 先進(jìn)先出 RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:72V2113L10PF8功能描述:先進(jìn)先出 256Kx18 /512Kx9 3.3V SUPERSYNC II 先進(jìn)先出 RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:72V2113L7-5PF872V2113L7-5PFGI72V2113L7-5PFGI872V2113L7-5PFI72V211L10J72V211L10J872V211L10PF72V211L10PF872V211L10PFG72V211L10PFG872V211L15J72V211L15J872V211L15JI72V211L15JI872V211L15PF72V211L15PF872V211L15PFGI72V211L15PFGI8