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2SK3078A(TE12L

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

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  • 2SK3078A(TE12L F)
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  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯(lián)系人：李燕兵

    電話：82525918

    地址：深圳市福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

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  • 2SK3078A(TE12L,F)
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  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：0755-830415598397218513430523058

    地址：深圳市福田區(qū)華強北都會大廈A座19樓19G

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  • 絕對公司原裝現(xiàn)貨

  • 2SK3078A(TE12L
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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

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    2SK3078A(TE12L.F)

  • 深圳市華雄半導體（集團）有限公司
    深圳市華雄半導體（集團）有限公司

    聯(lián)系人：雷精云

    電話：18988598856

    地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

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  • 十年專營，供應(yīng)原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

  • 2SK3078A(TE12L.F
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  • 深圳市華雄半導體（集團）有限公司
    深圳市華雄半導體（集團）有限公司

    聯(lián)系人：苗鳳軍

    電話：17623594308

    地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 3362

  • TOSHIBA

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  • 十年專營，供應(yīng)原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

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2SK3078A(TE12L 技術(shù)參數(shù)
  • 2SK3075(TE12L,Q) 功能描述:MOSF RF N CH 30V 5A PW-X 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:N 通道 頻率:520MHz 增益:11.7dB 電壓 - 測試:9.6V 額定電流:5A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:50mA 功率 - 輸出:7.5W 電壓 - 額定:30V 封裝/外殼:TO-271AA 供應(yīng)商器件封裝:PW-X 標準包裝:1 2SK3074TE12LF 功能描述:MOSF RF N CH 30V 1A PW-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:N 通道 頻率:520MHz 增益:14.9dB 電壓 - 測試:9.6V 額定電流:1A 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:50mA 功率 - 輸出:630mW 電壓 - 額定:30V 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:SC-62 標準包裝:1 2SK3068(TE24L,Q) 功能描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO220SM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:520 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2040pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-220SM 標準包裝:1,000 2SK3065T100 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:320 毫歐 @ 1A，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:160pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SK3064G0L 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A S-MINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 歐姆 @ 10mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-85 供應(yīng)商器件封裝:S迷你型3-F2 標準包裝:1 2SK3309(TE24L,Q) 2SK3313(Q) 2SK3318 2SK3320-BL(TE85L,F 2SK3320-GR(TE85L,F 2SK3320-Y(TE85L,F) 2SK3342(TE16L1,NQ) 2SK33720RL 2SK33720SL 2SK33720TL 2SK33720UL 2SK3372GRL 2SK3372GSL 2SK3372GTL 2SK3372GUL 2SK3388(TE24L,Q) 2SK3403(Q) 2SK34260TL
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