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2N7002KQ-13

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  • 2N7002KQ-13
    2N7002KQ-13

    2N7002KQ-13

  • 深圳市鵬展勝電子有限公司
    深圳市鵬展勝電子有限公司

    聯(lián)系人：林先生

    電話：13543333538

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道佳和大廈A座2801

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • DIODES/美臺

  • SOT23

  • 21+

  • -

  • 原裝正品，假一賠十！

  • 2N7002KQ-13
    2N7002KQ-13

    2N7002KQ-13

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 10000

  • DIODES INC.

  • 主營優(yōu)勢

  • 1913

  • -

  • 100%原裝正品★終端免費供樣★

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
2N7002KQ-13 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
2N7002KQ-13 技術(shù)參數(shù)
  • 2N7002K-7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:380mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:370mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002K,215 功能描述:MOSFET N-CH 60V 340MA SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:340mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.9 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002K 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:300mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002-HF 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:250mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 歐姆 @ 250mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:25pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002H-7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:170mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 50mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.35nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:26pF @ 25V 功率 - 最大值:370mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002LT3 2N7002LT3G 2N7002MTF 2N7002P,215 2N7002P,235 2N7002PM,315 2N7002PS,115 2N7002PS,125 2N7002PS/ZLH 2N7002PS/ZLX 2N7002PT,115 2N7002PV,115 2N7002PW,115 2N7002T 2N7002T,215 2N7002-T1-E3 2N7002-T1-GE3 2N7002T-7
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