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2N7000_D26Z_Q

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  • 功能描述
  • MOSFET N-CHANNEL 60V 200mA
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
2N7000_D26Z_Q 技術參數
  • 2N7000_D26Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:400mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1 2N7000,126 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):300mA(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N7000 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:400mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1,000 2N6990 功能描述:TRANS 4NPN 50V 0.8A 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:4 NPN(四路) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):800mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:400mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:14-扁平封裝 供應商器件封裝:14-扁平封裝 標準包裝:1 2N699 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):5V @ 15mA,150mA 電流 - 集電極截止(最大值):2μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:500 2N7000RLRAG 2N7000RLRMG 2N7000RLRPG 2N7000TA 2N7002 2N7002 BK 2N7002 L6327 2N7002 TR 2N7002 TR13 2N7002,215 2N7002,235 2N7002_D87Z 2N7002_L99Z 2N7002_NB9G002 2N7002_S00Z 2N7002-7 2N7002-7-F 2N7002A-7
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