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1276AS-H-3R3N

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1276AS-H-3R3N 技術(shù)參數(shù)
  • 1276AS-H-3R3M=P2 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 1.4A 190 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE322510C 包裝:* 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:1.4A 電流 - 飽和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:190 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1276AS-H-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 1.6A 118 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE322510C 包裝:* 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:1.6A 電流 - 飽和值:2.2A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:118 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1276AS-H-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2.1A 87 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE322510C 包裝:* 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:2.1A 電流 - 飽和值:2.6A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:87 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1276AS-H-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 2.6A 62 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE322510C 包裝:* 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:2.6A 電流 - 飽和值:3.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:62 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1276AS-H-100M=P2 功能描述:10μH Shielded Wirewound Inductor 800mA 588 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE322510C 包裝:* 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:800mA 電流 - 飽和值:1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:588 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1277091686 1277091687 1277091688 1277091689 1277091690 1277091691 1277091692 1277091693 1277091694 1277200000 1277220000 1277270000 1277280000 1277290000 1277300000 1277310000 1277320000 1277330000
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