參數(shù)資料
型號： SIDC14D120E
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 15 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： DIE
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 64K
代理商： SIDC14D120E
Preliminary
SIDC14D120E
Edited by INFINEON technologies AI IP DD HV2, L 4172F, Edition 1, 30.08.2000
Fast switching diode chip in EMCON-Technology
This chip is used for:
EUPEC power modules and
discrete devices
FEATURES:
1200V EMCON technology 130 μm chip
soft , fast switching
low reverse recovery charge
small temperature coefficient
Applications:
SMPS, resonant applications,
drives
A
C
Chip Type
V
CE
I
Cn
Die Size
3.80 x 3.80 mm
2
Package
Ordering Code
SIDC14D120E
1200V
15A
sawn on foil
C67047-A4677
MECHANICAL PARAMETER:
Raster size
3.80 x 3.80
Area total / active
14.44 / 9.80
Anode pad size
2.38 x 2.38
mm
2
Thickness
130
μm
Wafer size
125
mm
Flat position
180
deg
Max. possible chips per wafer
704
Passivation frontside
Photoimide
Anode metalization
3200 nm Al Si 1%
Cathode metalization
1400 nm Ni Ag –system
suitable for epoxy and soft solder die bonding
Die bond
electrically conductive glue or solder
Wire bond
Al,
≤
500μm
Reject Ink Dot Size
tbd
Recommended Storage Environment
store in original container, in dry nitrogen,
< 6 month
相關PDF資料
PDF描述
SIHF640L-E3 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
SIHF640STR-E3 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
SIHF730S-E3 5.5 A, 400 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
SIHF830-E3 4.5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
SIHFP260-E3 46 A, 200 V, 0.055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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SIDC14D60C6_07 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast switching diode chip in EMCON 3 -Technology small temperature coefficient
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