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參數(shù)資料
| 型號： | SI5475DC |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| 中文描述： | P溝道12 V的（副）MOSFET的 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 109K |
| 代理商： | SI5475DC |
Si5475DC
Vishay Siliconix
www.vishay.com
2
Document Number: 71324
S-21251—Rev. B, 05-Aug-02
SPECIFICATIONS (T
J
= 25
_
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= --I mA
--0.45
V
Gate-Body Leakage
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
8 V
100
nA
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
= --9.6 V, V
GS
= 0 V
--1
m
A
V
DS
= --9.6 V, V
GS
= 0 V, T
J
= 85
_
C
--5
On-State Drain Current
a
I
D(on)
V
DS
--5 V, V
GS
= --4.5 V
--20
A
V
GS
= --4.5 V, I
D
= --5.5 A
0.027
0.031
Drain-Source On-State Resistance
a
r
DS(on)
V
GS
= --2.5 V, I
D
= --4.8 A
0.035
0.041
V
GS
= --1.8 V, I
D
= --2 A
0.045
0.054
Forward Transconductance
a
g
fs
V
DS
= --5 V, I
D
= --5.2 A
19
S
Diode Forward Voltage
a
V
SD
I
S
= --1.1 A, V
GS
= 0 V
--0.7
--1.2
V
Dynamic
b
Total Gate Charge
Q
g
19
29
Gate-Source Charge
Q
gs
V
DS
= --6 V, V
GS
= --4.5 V, I
D
= --5.5 A
3.9
nC
Gate-Drain Charge
Q
gd
3.6
Turn-On Delay Time
t
d(on)
15
25
Rise Time
t
r
V
= --6 V, R
= 6
I
D
--1 A, V
GEN
= --4.5 V, R
G
= 6
20
30
Turn-Off Delay Time
t
d(off)
122
180
ns
Fall Time
t
f
80
120
Source-Drain Reverse Recovery Time
t
rr
I
F
= --1.1 A, di/dt = 100 A/
m
s
40
60
Notes
a.
b.
Pulse test; pulse width
≤
300
m
s, duty cycle
≤
2%.
Guaranteed by design, not subject to production testing.
TYPICAL CHARACTERISTICS (25
_
C UNLESS NOTED)
0
4
8
12
16
20
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
5
10
15
20
0
1
2
3
4
5
V
GS
= 5 thru 2.5 V
T
C
= --55
_
C
125
_
C
1.5 V
25
_
C
Output Characteristics
Transfer Characteristics
V
DS
-- Drain-to-Source Voltage (V)
-
I
D
V
GS
-- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
D
1 V
2 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI5475DC-T1 | P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| SI5486DUV | N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI5509DC | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold |
| SI550 | VOLTAGE-CONTROLLED CRYSTAL OSCILLATOR (VCXO) 10 MHZ TO 1.4 GHZ |
| SI5515DC | Complementary 20-V (D-S) MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI5475DC | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P 1206-8 |
| SI5475DC-T1 | 功能描述:MOSFET 12V 7.6A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI5475DC-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 12V 7.6A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI5475DC-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 12V 7.6A 2.5W 31mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI5475DDC | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
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