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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SI4425DY |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET |
| 中文描述： | 11000 mA, 30 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SO-8 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | SI4425DY |
Si4425BDY
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 72000
S-21862
—
Rev. B, 21-Oct-02
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
30
10
20
P
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
Time (sec)
10
- 3
10
- 2
1
10
600
10
- 1
10
- 4
100
-0.4
-0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
- Temperature ( C)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 70 C/W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
1
600
100
10
- 1
10
- 2
10
5
25
15
Safe Operating Area
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
100
1
0.1
1
10
100
0.01
10
T
= 25 C
Single Pulse
-
I
D
P(t) = 10
dc
0.1
I
DM
Limited
I
Limited
r
DS(on)
Limited
BV
DSS
Limited
P(t) = 1
P(t) = 0.1
P(t) = 0.01
P(t) = 0.001
P(t) = 0.0001
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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