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參數(shù)資料
| 型號： | SI4411DY |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | P-Channel 30-V (D-S) MOSFE |
| 中文描述： | P溝道30 V的（副）MOSFE |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 41K |
| 代理商： | SI4411DY |
Si4411DY
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72149
S-03539—Rev. B, 24-Mar-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
-
r
D
)
0
1100
2200
3300
4400
5500
0
6
12
18
24
30
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
6
0
10
20
30
40
50
0.000
0.004
0.008
0.012
0.016
0.020
0
10
20
30
40
50
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 15 V
I
D
= 13 A
I
D
- Drain Current (A)
V
GS
= 10 V
I
D
V
GS
= 10 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.000
0.006
0.012
0.018
0.024
0.030
0
2
4
6
8
10
T
J
= 25 C
I
D
= 13 A
50
10
0.1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
r
D
)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
S
V
GS
= 4.5 V
1
T
J
= 150 C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4411DY-T1 | P-Channel 30-V (D-S) MOSFE |
| Si4418DY-E3 | N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
| Si4418DY-T1-E3 | N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
| SI4418DY | N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
| SI4425BDY | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI4411DY-T1 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFE |
| SI4411DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 13A 3.0W 10mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4411DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 13A 3.0W 10mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4412ADY | 功能描述:MOSFET 30V 8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4412ADY-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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