參數資料
型號： SI4405DY-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
中文描述： P溝道30V的MOSFET
文件頁數： 3/5頁
文件大小： 43K
代理商： SI4405DY-T1
Si4405DY
Vishay Siliconix
Document Number: 71913
S-31726—Rev. D, 18-Aug-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
-
r
D
)
0
1400
2800
4200
5600
7000
0
6
12
18
24
30
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
0
22
44
66
88
110
0.000
0.002
0.004
0.006
0.008
0.010
0
10
20
30
40
50
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 15 V
I
D
= 17 A
I
D
- Drain Current (A)
V
GS
= 10 V
I
D
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.000
0.010
0.020
0.030
0
2
4
6
8
10
T
J
= 25 C
I
D
= 17 A
60
10
0.1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
r
D
)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
S
V
GS
= 10 V
1
T
J
= 150 C
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PDF描述
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